25年09月15日赛默飞iCAP PRO DUO ICP设备在河南某半导体材料厂尤其擅长硅基体及氢氟酸体系的分析

合作伙伴：河南某半导体材料厂

仪器类型：电感耦合等离子体光谱仪

品牌：赛默飞

型号：iCAP PRO DUO ICP-OES

2025年09月15日，热烈祝贺河南某半导体材料厂引进我司赛默飞iCAP PRO DUO ICP设备，现已圆满完成安装、培训与调试！感谢贵厂对赛默飞产品的信任与支持。未来我们将持续提供高效、精准的分析解决方案，助力贵厂在半导体材料领域精益求精！

赛默飞iCAP PRO DUO ICP-OES设备在半导体材料检测中具备以下关键能力与应用场景：

1. 耐氢氟酸进样系统，适配硅基材料

配备耐氢氟酸（HF）的进样系统（如陶瓷炬管、PTFE雾化室），可直接分析含HF的半导体样品（如硅粉、晶圆清洗液），避免传统石英部件的腐蚀问题。

示例：对工业硅中的磷、硼、钙、铁等杂质元素进行快速测定，满足高纯度要求。

2. 双观测模式（轴向/径向）提升灵敏度

水平与垂直双观测模式可灵活切换，轴向模式提供高灵敏度（适合痕量元素），径向模式抗基体干扰（适合高浓度样品），适配半导体中不同含量范围的杂质分析。

3. 符合半导体行业超痕量检测标准

检出限低至ppb级，满足SEMI标准对高纯试剂（如硫酸、氢氟酸）中超痕量金属杂质（如Na、K、Fe）的管控要求，保障晶圆良率。

应用案例：检测电子级NMP（光刻胶溶剂）中的ppt级金属离子，通过优化等离子体条件（如冷等离子体模式）消除碳氮基体干扰。

4. 高效基体处理与稳定性

采用陶瓷炬管（如D-Torch）和蓝宝石中心管，耐高温基体（如SiC、GaN），减少维护频率，适合长时间运行产线监控。

固态CID检测器防溢出设计，避免高基体样品（如硅片清洗液）的信号饱和，确保数据准确性。

5. 全流程半导体材料覆盖

前道工艺：硅锭/晶圆表面杂质（VPD-ICP联用法）、外延层成分分析。

后道工艺：封装材料（如溅射靶材）、高纯试剂（双氧水、氨水）的质控。

环保监测：废水中的痕量金属（如Cu、Zn）合规性检测。

6. 技术对比优势

相比单四极杆ICP-MS，iCAP PRO DUO在复杂基体（如高硅含量）中稳定性更优，且运行成本更低，适合常规QC场景；而ICP-MS（如iCAP TQs）更适用于超痕量（ppt级）或需消除多原子干扰的科研级分析。

总结：该设备通过硬件耐腐设计、双观测模式及低检出限，精准覆盖半导体材料从原材料到成品的杂质监控需求，尤其擅长硅基体及氢氟酸体系的分析，是半导体行业质量控制与工艺优化的可靠工具。